碳化硅噴淋頭/分配盤(pán)/勻氣盤(pán)-半導(dǎo)體PVD、CVD、刻蝕工藝的重要零部件

在半導(dǎo)體芯片制造的精密殿堂中，某些組件雖不顯眼，卻直接決定著工藝的成敗與芯片的性能。碳化硅噴淋頭（亦稱為分配盤(pán)或勻氣盤(pán)）正是這樣一種關(guān)鍵部件。它靜置在工藝反應(yīng)腔的核心，卻掌控著反應(yīng)氣體均勻分布的命脈，是物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD） 和刻蝕（Etch） 等核心工藝得以高效、均勻進(jìn)行的基石。

碳化硅噴淋頭絕非簡(jiǎn)單的帶孔板材，其設(shè)計(jì)與制造是精密陶瓷加工的巔峰體現(xiàn)：

• 精密氣流控制：表面成百上千個(gè)微孔，其孔徑、孔距、分布均經(jīng)過(guò)計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)（CFD） 模擬優(yōu)化，確保反應(yīng)氣體以完全均勻的流量和壓力覆蓋整個(gè)晶圓表面。

• 均勻的等離子體分布：在等離子體工藝中，噴淋頭常作為電極使用。其導(dǎo)電性、表面平整度及冷卻設(shè)計(jì)，直接影響腔體內(nèi)等離子體密度的均勻性，進(jìn)而決定工藝結(jié)果的一致性。

• 集成冷卻通道：先進(jìn)的噴淋頭內(nèi)部集成精密冷卻流道，高效帶走工藝熱量，維持部件與工藝溫度的恒定。

在三大關(guān)鍵工藝中的應(yīng)用場(chǎng)景

1. PVD（物理氣相沉積）工藝

在金屬濺射等PVD工藝中，碳化硅噴淋頭（通常作為陽(yáng)極或屏蔽組件）需承受高溫和高能粒子轟擊。其穩(wěn)定性確保了濺射過(guò)程的均勻性與膜厚的一致性，是高端邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造中的關(guān)鍵。

2. CVD（化學(xué)氣相沉積）工藝

在沉積SiO?、Si?N?、多晶硅等薄膜時(shí)，噴淋頭將前驅(qū)體氣體均勻注入反應(yīng)腔。碳化硅的耐高溫和抗腐蝕特性，使其能在長(zhǎng)時(shí)間高溫下抵抗副產(chǎn)物的沉積與腐蝕，保障薄膜的均勻性與純度。

3. 刻蝕（Etch）工藝

在干法刻蝕中，噴淋頭用于均勻?qū)肟涛g氣體（如氟基、氯基氣體）并形成均勻等離子體。其面對(duì)強(qiáng)腐蝕等離子體的耐久性，直接決定了刻蝕工藝的窗口寬度、側(cè)壁形貌的控制能力與機(jī)臺(tái)正常運(yùn)行時(shí)間。

制造工藝：從粉體到精密部件

高品質(zhì)碳化硅噴淋頭的誕生，依賴于一條極其嚴(yán)格的技術(shù)鏈：

1. 材料制備：采用高純度亞微米級(jí)碳化硅粉體。

2. 成型工藝：通過(guò)等靜壓成型或注塑成型，形成坯體。

3. 精密加工：燒結(jié)前后，使用金剛石磨具進(jìn)行高精度CNC加工，打孔、銑槽，確保微米級(jí)尺寸公差與表面光潔度。

4. 高溫?zé)Y(jié)：在2100℃以上的惰性氣氛中進(jìn)行無(wú)壓燒結(jié)或反應(yīng)燒結(jié)，獲得高致密、高強(qiáng)度部件。

5. 最終處理與檢測(cè)：進(jìn)行精密研磨、清洗，并經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的尺寸、氣密性、等離子體測(cè)試與顆粒檢測(cè)。