在追求極致精度與效率的半導體制造領(lǐng)域，晶圓檢測設(shè)備是保障先進制程良率的“火眼金睛”。其中，碳化硅（SiC）材料因其一系列無可匹敵的物理特性，正成為制造這類設(shè)備核心零部件的關(guān)鍵材料，深刻推動著檢測